這幾天，Intel公布了雄心勃勃的IDM 2.0戰(zhàn)略，將投資200億美元建設(shè)兩座半導(dǎo)體晶圓廠(chǎng)，7nm工藝要在2023年量產(chǎn)，目標(biāo)是要重回半導(dǎo)體領(lǐng)先地位。

在14nm節(jié)點(diǎn)之前，特別是22nm首發(fā)3D晶體管FinFET工藝之后，Intel在2014年之前可以說(shuō)是全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體工廠(chǎng)，官方PPT曾經(jīng)表示他們領(lǐng)先友商至少3.5年，考慮到當(dāng)時(shí)三星、臺(tái)積電的情況，Intel此言不虛。

當(dāng)然，這幾年情況變了，14nm工藝雖然性能很好，但是從2014到現(xiàn)在都用了7年了，臺(tái)積電三星這幾年中可是從28nm一路升級(jí)到了5nm工藝，明年都要量產(chǎn)3nm工藝了。

Intel今年的主力會(huì)是10nm，下一個(gè)節(jié)點(diǎn)7nm原定是2021年，不過(guò)跳票到了2023年，首款CPU產(chǎn)品將是Meteor Lake，今年Q2季度會(huì)Tape in，也就是完成設(shè)計(jì)工作，即將進(jìn)入流片階段。

那Intel的7nm工藝到底如何?現(xiàn)在還沒(méi)明確消息，不過(guò)業(yè)界大站Anandtech的主編Ian Cutress公布了一些數(shù)據(jù)，對(duì)比了不同工藝的晶體管密度，如下所示：

臺(tái)積電的5nm工藝密度是1.71億晶體管/mm2，3nm工藝可達(dá)2.9億晶體管/mm2，而Intel的10nm工藝是1.01億晶體管/mm2，7nm節(jié)點(diǎn)可達(dá)2-2.5億晶體管/mm2。

對(duì)比的話(huà)，Intel的7nm工藝按最高水平來(lái)看，非常接近臺(tái)積電的3nm工藝，哪怕在2023年問(wèn)世，有這個(gè)水平的話(huà)也不比臺(tái)積電差多少，不像現(xiàn)在這樣14nm、10nm工藝被7nm、5nm遙遙領(lǐng)先。

當(dāng)然，以上都是極限水平，實(shí)際表現(xiàn)還要看處理器的具體情況，只是現(xiàn)在這個(gè)數(shù)據(jù)足以說(shuō)明Intel的7nm工藝不容小覷，耐心等待兩年，或許Intel真的王者歸來(lái)了。